DMN1150UFB-7B参数：MOSF N CH 12V 1.41A X1DFN10063
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：10,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：12V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.41A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 1A， 4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1.5nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：106pF @ 10V功率 - 最大值：500mW安装类型：表面贴装封装：3-UFDFN供应商器件封装：3-DFN1006（1.0x0.6）
