DMN2005DLP4K-7

DMN2005DLP4K-7
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DMN2005DLP4K-7参数：MOSFET DUAL N-CH 6-DFN

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
其它图纸： DFN1310H4-6Side DFN1310H4-6Bottom
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.5欧姆@10mA，4V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：900mV@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：-
功率-最大值：350mW
安装类型：表面贴装
封装：6-SMD，无引线
供应商器件封装：6-DFN1310H4（1.0x1.3）