DMN2005LP4K-7参数：MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
类别：分立半导体产品-FET - 单其它图纸： DFN1006H4-3Side DFN1006H4-3BottomPCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.5欧姆@10mA，4V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：900mV@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：41pF@3V功率-最大值：200mW安装类型：表面贴装封装：3-XFDFN供应商器件封装：3-DFN1006H4（1.0x0.6）
