DMN2010UDZ-7

DMN2013UFDE-7
PDF资料下载

DMN2013UFDE-7参数：MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：10.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 8.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25.8nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2453pF @ 10V
功率 - 最大值：660mW
安装类型：表面贴装
封装：6-UDFN
供应商器件封装：*