DMN2015UFDE-7参数：MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：11.6毫欧@8.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：45.6nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1779pF@10V功率-最大值：660mW安装类型：表面贴装封装：6-UDFN供应商器件封装：*
