DMN2016UTS-13参数：MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.58A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：14.5毫欧@9.4A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：16.5nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1495pF@10V功率-最大值：880mW安装类型：表面贴装封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）供应商器件封装：8-TSSOP
