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DMN2016UTS-13

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DMN2016UTS-13
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DMN2016UTS-13参数：MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.58A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：14.5毫欧@9.4A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：16.5nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1495pF@10V
功率-最大值：880mW
安装类型：表面贴装
封装：8-TSSOP（0.173"，4.40mm宽）
供应商器件封装：8-TSSOP

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