DMN2020LSN-7参数：MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@9.4A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11.6nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1149pF@10V功率-最大值：610mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SC-59-3
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