DMN2028USS-13参数:MOSFET N-CH 20V 7.3A SO8
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification: BondWire11/Nov/2011PCNOther: MultipleDeviceChanges29/Apr/2013标准包装:2,500系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):7.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):20毫欧@9.4A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):11.6nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):1000pF@10V功率-最大值:1.56W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SO