DMN2041LSD-13

DMN2041LSD-13
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DMN2041LSD-13参数：MOSFET 2N-CH 20V 7.63A SO8

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7.63A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：28毫欧@6A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15.6nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：550pF@10V
功率-最大值：1.16W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO