DMN2004DMK-7参数:MOSFET DUAL N-CHAN 20V SOT-26
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图: SOT-26PackageTop SOT-26PackageSide1 SOT-26PackageSide2PCNDesign/Specification: BondWire3/May/2011标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:2个N沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):540mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):550毫欧@540mA,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):150pF@16V功率-最大值:225mW安装类型:表面贴装封装:SOT-23-6供应商器件封装:SOT-26