DMN21D2UFB-7B参数：MOSFET N CH 20V 3DFN
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：10,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：760mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：990 毫欧 @ 100mA，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.93nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：27.6pF @ 16V功率 - 最大值：900mW安装类型：表面贴装封装：3-XFDFN供应商器件封装：3-DFN1006（1.0x0.6）
