DMN2230U-7参数：MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： GreenEncapsulate15/May/2008 BondWire3/May/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：110毫欧@2.5A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：188pF@10V功率-最大值：600mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SOT-23-3
