DMN3052LSS-13参数:MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNOther: MultipleDeviceChanges29/Apr/2013标准包装:2,500系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):7.1A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):30毫欧@7.1A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):555pF@5V功率-最大值:2.5W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SOP