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DMN3112SSS

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DMN3112SSS-13 优势库存

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相关型号： DMN3112S-7 DMN3110S-7 DMN3070SSN-7 DMN3052LSS-13 DMN3052L-7 DMN3051L-7

DMN3112SSS-13
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DMN3112SSS-13参数：MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： DMNSeriesTop DMNSeriesSide1 DMNSeriesSide2
PCNOther： MultipleDeviceChanges29/Apr/2013
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：57毫欧@5.8A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：268pF@15V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOP

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