DMN3135LVT-7参数：MOSFET N CH 30V 4.1A TSOT26
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.1A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：6 欧姆 @ 115mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.1nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：305pF @ 15V功率 - 最大值：840mW安装类型：表面贴装封装：SOT-23-6供应商器件封装：TSOT26
