DMN4030LK3-13参数:MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification: WaferSite/BondWire8/Apr/2013标准包装:2,500系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):40V电流-连续漏极(Id)(25°C时):9.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):30毫欧@12A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):12.9nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):604pF@20V功率-最大值:2.14W安装类型:表面贴装封装:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63供应商器件封装:TO-252-3