DMN5L06DWK-7参数：MOSFET DUAL N-CH 50V SOT-363
类别：分立半导体产品-FET - 阵列其它图纸： SOT-363PackageTop SOT-363PackageSide1 SOT-363PackageSide2PCNDesign/Specification： BondWire3/May/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：50V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：305mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2欧姆@50mA@5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：50pF@25V功率-最大值：250mW安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SOT-363
