DMN5L06V-7参数：MOSFET N-CH DUAL SOT-563
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNOther： MultipleChanges14/May/2009标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：50V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：280mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3欧姆@200mA，2.7V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：50pF@25V功率-最大值：150mW安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：SOT-563
