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DMN5L06V

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相关型号： DMN5L06TK-7 DMN5L06T-7 DMN5L06K-7 DMN5L06DWK-7 DMN5L06DW-7 DMN5L06DMK-7

DMN5L06V-7
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DMN5L06V-7参数：MOSFET N-CH DUAL SOT-563

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
PCNOther： MultipleChanges14/May/2009
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：50V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：280mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3欧姆@200mA，2.7V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：50pF@25V
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：SOT-563

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