DMN601DMK-7参数:MOSFET N-CH DUAL 60V 225MW SOT26
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图: SOT-26PackageTop SOT-26PackageSide1 SOT-26PackageSide2PCNDesign/Specification: BondWire3/May/2011标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:2个N沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)(25°C时):305mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):2.4欧姆@200mA,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):50pF@25V功率-最大值:225mW安装类型:表面贴装封装:SOT-23-6供应商器件封装:SOT-26