DMN6040SSD-13参数：MOSFET N CH 60V 5A SO-8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013标准包装：2,500系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：40毫欧@4.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：22.4nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1287pF@25V功率-最大值：1.3W安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）供应商器件封装：8-SO
