DMS2120LFWB-7参数：MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： BondWire11/Nov/2011标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：二极管（隔离式）漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：95毫欧@2.8A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：632pF@10V功率-最大值：1.5W安装类型：表面贴装封装：8-VDFN裸露焊盘供应商器件封装：8-DFN3020B（3x2）
