DMS2120LFWB-7参数:MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification: BondWire11/Nov/2011标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETP通道,金属氧化物FET功能:二极管(隔离式)漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.9A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):95毫欧@2.8A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):632pF@10V功率-最大值:1.5W安装类型:表面贴装封装:8-VDFN裸露焊盘供应商器件封装:8-DFN3020B(3x2)