DMS3016SSS-13参数:MOSFET N-CH 30V 9.8A SO8
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification: BondWire11/Nov/2011PCNOther: MultipleDeviceChanges29/Apr/2013标准包装:2,500系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,肖特基,金属氧化物!FET功能:标准漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):9.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):13毫欧@9.8A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):43nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):1849pF@15V功率-最大值:1.54W安装类型:表面贴装封装:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)供应商器件封装:8-SO