DSK5J01Q0L参数：J FET N CH 55V 30MA SMINI3-F2-B
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：2mA @ 10V漏源极电压 (Vdss)：55V漏极电流 (Id) - 最大值：30mAFET 类型：N 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：5V @ 10µA不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6pF @ 10V电阻 - RDS（开）：-安装类型：表面贴装封装：SC-85供应商器件封装：SMini3-F2-B功率 - 最大值：150mW
