ECH8301

ECH8302-TL-E
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ECH8302-TL-E参数：MOSFET P-CH 30V 7A ECH8

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： ECH8Package-P,N,N/P,Dual-N&Dual-PChannelTop
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：25毫欧@3.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：28nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1400pF@10V
功率-最大值：1.6W
安装类型：表面贴装
封装：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：8-ECH