ECH8619-TL-E参数：MOSFET N/P-CH 60V 3/2A ECH8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图： ECH8Package-P,N,N/P,Dual-N&Dual-PChannelTop标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3A，2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：93毫欧@1.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12.8nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：560pF@20V功率-最大值：1.3W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：8-ECH
