ECH8620-TL-E参数:MOSFET N/P-CH 100V 2/1.5A ECH8
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图: ECH8Package-P,N,N/P,Dual-N&Dual-PChannelTop标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:N和P沟道FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):100V电流-连续漏极(Id)(25°C时):2A,1.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):260毫欧@1A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):-不同Vgs时的栅极电荷(Qg):13.8nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):650pF@20V功率-最大值:1.3W安装类型:表面贴装封装:8-SMD,扁平引线供应商器件封装:8-ECH