EM6K6

EM6K6T2R
PDF资料下载

EM6K6T2R参数：MOSFET 2N-CH 20V 300MA EMT6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品目录绘图： EM6SeriesEMT-6
标准包装：8,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：300mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1欧姆@300mA，4V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：25pF@10V
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：EMT6