EM6K6T2R参数：MOSFET 2N-CH 20V 300MA EMT6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图： EM6SeriesEMT-6标准包装：8,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：300mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1欧姆@300mA，4V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：25pF@10V功率-最大值：150mW安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：EMT6
