EM6M2T2R参数:MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6
类别:分立半导体产品-FET - 阵列标准包装:8,000系列:-包装:带卷 (TR)FET 类型:N 和 P 沟道FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):200mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 200mA,4V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):25pF @ 10V功率 - 最大值:150mW安装类型:表面贴装封装:SOT-563,SOT-666供应商器件封装:EMT6