EMF18XV6T5G参数：TRANS BRT NPN/PNP DL 50V SOT-563
类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式产品变化通告： WireBondChange01/Dec/2010标准包装：8,000系列：-包装：带卷(TR)晶体管类型：1NPN预偏压式，1PNP电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA电压-集射极击穿（最大值）：50V，60V电阻器-基底(R1)(Ω)：47k电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：47k不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：80@5mA，10V/120@1mA，6V不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：250mV@300µA，10mA/500mV@5mA，50mA电流-集电极截止（最大值）：500nA频率-跃迁：140MHz功率-最大值：500mW安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：SOT-563
