EMT18T2R参数:TRANS PNP DUAL BIP+BIP EMT6
类别:分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列标准包装:8,000系列:-包装:带卷 (TR)晶体管类型:2 PNP(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA电压 - 集射极击穿(最大值):12V不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,200mA电流 - 集电极截止(最大值):-不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):270 @ 10mA,2V功率 - 最大值:150mW频率 - 跃迁:260MHz安装类型:表面贴装封装:SOT-563,SOT-666供应商器件封装:EMT6