EPC1011参数：TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
类别：分立半导体产品-FET - 单应用说明： ThermalPerformanceofeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs产品变化通告： EPC1xxxSeriesObsolescence09/Sept/2011视频文件： EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKeyRoHS指令信息： LeadFree/RoHSStatement标准包装：500系列：eGaN®包装：带卷(TR)FET类型：GaNFETN通道，氮化镓FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：150V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：25毫欧@12A，5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@3mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6.7nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：440pF@75V功率-最大值：-安装类型：表面贴装封装：7-LGA供应商器件封装：7-LGA（3.6x1.6）
