EPC2014参数：TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
类别：分立半导体产品-FET - 单应用说明： SecondGenerationeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs产品培训模块： ParallelingeGaN?FETs产品变化通告： EPC20xxMaterialChange10/Apr/2013视频文件： EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKey特色产品： EPC201440VeGaN?FET DemoBoardEPC9101标准包装：1,000系列：eGaN®包装：带卷(TR)FET类型：GaNFETN通道，氮化镓FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：40V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：16毫欧@5A，5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@2mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.48nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：300pF@20V功率-最大值：-安装类型：表面贴装封装：5-LGA供应商器件封装：5-LGA（1.7x1.1）
