EPC2015参数：TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
类别：分立半导体产品-FET - 单应用说明： SecondGenerationeGaN®FETs AssemblingeGaN®FETS UsingeGaN®FETs产品培训模块： eGaNFETReliability SecondGenLeadFreeeGaNFETsOverview ParallelingeGaN?FETs产品变化通告： EPC20xxMaterialChange10/Apr/2013视频文件： EPCeGaNFETs--AnotherGeekMoment|DigiKeyRoHS指令信息： LeadFree/RoHSStatement特色产品： eGaN?FETs DemoBoardEPC9101标准包装：500系列：eGaN®包装：带卷(TR)FET类型：GaNFETN通道，氮化镓FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：40V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：33A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4毫欧@33A，5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@9mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10.5nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1100pF@20V功率-最大值：-安装类型：表面贴装封装：模具剖面（11焊条）供应商器件封装：模具剖面（11焊条）
