FC8V33030L参数：MOSFET N CH 33V 6.5A WMINI8
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：33V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 3.3A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 480µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.8nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：360pF @ 10V功率 - 最大值：1W安装类型：表面贴装封装：8-SMD，扁平引线供应商器件封装：W迷你型8-F1
