FCA20N60S_F109参数：MOSFET N-CH 650V TO-3PN
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013标准包装：30系列：SuperFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：20A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：260毫欧@10A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：72nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2250pF@25V功率-最大值：260W安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3供应商器件封装：TO-3PN