FCP9N60N参数:MOSFET N-CH 600V 9A TO220
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:400系列:SuperMOS™包装:管件FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):600V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):385 毫欧 @ 4.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1240pF @ 100V功率 - 最大值:88.3W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220