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FCPF190N60E

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FCPF190N60E 优势库存
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相关型号： FCPF190N60 FCPF16N60NT FCPF16N60 FCPF13N60NT FCPF11N60T FCPF11N60NT

FCPF190N60E
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FCPF190N60E参数：MOSFET N-CH 600V TO-220-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013
标准包装：50
系列：SuperFETII®
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：20.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：190毫欧@10A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：82nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3175pF@25V
功率-最大值：39W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3整包
供应商器件封装：TO-220F

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