FDB024N04AL7参数：MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：800系列：PowerTrench®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：40V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.4 毫欧 @ 80A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：109nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7300pF @ 25V功率 - 最大值：214W安装类型：表面贴装封装：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA供应商器件封装：D2PAK（7-Lead）
