FDB3860参数：MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices27/Feb/2012标准包装：800系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：100V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6.4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：37毫欧@5.9A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：30nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1740pF@50V功率-最大值：3.1W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：D²PAK
