FDB42AN15A0参数:MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence: MultipleDevices14/Mar/2011标准包装:800系列:PowerTrench®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):150V电流-连续漏极(Id)(25°C时):35A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):42毫欧@12A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):39nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):2150pF@25V功率-最大值:150W安装类型:表面贴装封装:TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:TO-263AB