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FDB6676

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FDB6676S 优势库存
FAIRCHILD
TO-262
2023+
28350
原装现货质量保证
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SOT263
2023+
21350
原装现货质量保证
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2023+
879
原装现货，价格优势
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1020
全新原装现货,特价热卖
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4957
全新进口原装现货,特价热卖
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SOT-263
2023+
296
品质保证,价格优惠
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FDB6676.
FAIRCHILD
TO-263
2023+
1697
工厂配单，价格优势
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FAIRCHILD
2023+
2131
全新原装现货，价格优惠
FDB6676S
FAIRCHILD
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2023+
2131
全新原装现货，价格优惠
FDB6676
FAIRCHILD/HARR..
TO-263
2023+
17500
低价格.高品质.服务好.现..
FDB6676S
FAIRCHILD/HARR..
TO-263
2023+
10500
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仙童
263
2023+
6000
原装现货
相关型号： FDB6670AS FDB6670AL FDB6030L FDB6030BL FDB6021P FDB5800_F085

FDB6670AL
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FDB6670AL参数：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： MultipleDevices27/Feb/2012
标准包装：800
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：80A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6.5毫欧@40A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：33nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2440pF@15V
功率-最大值：68W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D²PAK

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