FDC6036P参数:MOSFET P-CHAN DUAL 20V 5A 6SSOT
类别:分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification: MoldCompound27/March/2008标准包装:3,000系列:PowerTrench®包装:带卷(TR)FET类型:2个P沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):44毫欧@5A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):14nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):992pF@10V功率-最大值:900mW安装类型:表面贴装封装:6-SSOT扁平引线,SuperSOT?-6FLMP供应商器件封装:6-SSOT