FDC6420C参数:MOSFET N/P-CH 20V 3.0A SSOT-6
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块: HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification: MoldCompound08/April/2008标准包装:3,000系列:PowerTrench®包装:带卷(TR)FET类型:N和P沟道FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):3A,2.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):70毫欧@3A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):4.6nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):324pF@10V功率-最大值:700mW安装类型:表面贴装封装:SOT-23-6细型,TSOT-23-6供应商器件封装:6-SSOT