FDC6432SH参数：MOSFET/SYNCFET N/PCH SSOT-6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：N和P沟道FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V，12V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.4A，2.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：90毫欧@2.4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3.5nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：270pF@15V功率-最大值：700mW安装类型：表面贴装封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6供应商器件封装：6-SSOT
