FDC655AN参数:MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-SSOT
类别:分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification: MoldCompound08/April/2008标准包装:3,000系列:PowerTrench®包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):30V电流-连续漏极(Id)(25°C时):6.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):27毫欧@6.3A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):13nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss):830pF@15V功率-最大值:800mW安装类型:表面贴装封装:SOT-23-6细型,TSOT-23-6供应商器件封装:6-SSOT