FDC796N参数：MOSFET N-CH 30V 12.5A SSOT-6
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： MoldCompound27/March/2008标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：9毫欧@12.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1444pF@15V功率-最大值：1.1W安装类型：表面贴装封装：6-SSOT扁平引线，SuperSOT?-6FLMP供应商器件封装：6-SSOT
